雪崩击穿（雪崩击穿和齐纳击穿区别）

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1雪崩击穿与掺杂浓度的关系

1、所以，结宽越宽和电场越强都有利于雪崩击穿。掺杂浓度变低时，耗尽层变宽，有利于载流子的加速，但是电场变小，似乎一个因素有利于雪崩击穿，一个因素不利于雪崩击穿。

2、采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。

3、雪崩击穿，掺杂浓度低，碰撞电离，就像滚雪球的倍增效应，利用这一性质做成了整流二极管。两者都属于电击穿，一定条件下是可逆的。

2肖特基二极管有没有雪崩击穿

1、雪崩二极管 它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管。

2、二极管的特性中另一种击穿为雪崩击穿，是指当反向电压增加到较大数值，使电子漂移速度加快，与共价键中的价电子相碰撞。二极管的作用有整流电路、检波电路、稳压电路、发光二极管、肖特基二极管。

3、肖特基二极管SS210。肖特基二极管以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD为肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。

4、按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管、隔离二极管、肖特基二极管、发光二极管、硅功率开关二极管、旋转二极管等。

3pn结雪崩击穿后电阻变低

损坏性击穿时，电阻从0欧到几千欧之间，随机的。稳压管击穿时，谈电阻没有意义，它是非线性的，低于击穿值电阻接近无穷大，高于击穿值电阻接近于零。

当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。

电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。 齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。

（2）齐纳击穿：当pn结加反向偏压时，势垒区能带发生倾斜；反向偏压越大，势垒越高，势垒区的内建电场也越强，势垒区能带也越加倾斜，甚至可以使n区的导带底比p区的价带顶还低。

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